来源:盖世汽车 时间:2024-03-05 19:03 阅读量:8910
据报道,德州仪器正加速将氮化镓生产工艺从6英寸向8英寸过渡,以提高产能、获得成本优势。
据报道,德州仪器正加速将氮化镓生产工艺从6英寸向8英寸过渡,以提高产能、获得成本优势。
德州仪器韩国总监Ju-Yong Shin表示,公司目前采用6英寸工艺生产氮化镓半导体,美国达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺,日本的会津工厂则正在将硅基8英寸生产线转换为GaN产线。
目前GaN 应用主要以外延为主,硅基衬底成本低,GaN-on-Si生长速度较快,较容易扩展到8英寸晶圆。随着尺寸增大,单位GaN半导体器件的成为将随之降低,因而国内、外厂商均在积极推进建设8英寸GaN晶圆项目。
相比第二代半导体化合物,GaN拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率和电子饱和速率及更优的抗辐照能力,可用于高功率、高速的光电元件中,是生产微电子器件、光电子器件的新型材料。
不仅如此,其是能同时实现高频、高效、大功率代表性材料,广泛应用在 5G 基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁等主要领域。
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以新能源汽车领域为例,GaN功率半导体主要应用于动力总成系统,包括车载充电器OBC、DC-DC/DC-AC及BMS电池管理系统。引入GaN D类放大器的音频系统能在不需要牺牲声音质量的前提下,以更小更轻的设计提供更多的功率和更多的通道,满足消费者市场对出色音质的追求。
使用GaN晶体管还可实现更小、更高效和更低成本的电源系统。对汽车行业而言,应用GaN意味着可以使用更小、更轻的电池,拥有更优的充电性能以及更久的车辆续航时间。此外,GaN也提高了车辆自主和无线电源应用的能力。
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